搜索: 用户名:密码:
会员天地
会员介绍 入会指南 入会申请 会员登录 政策咨询 科技中介 成果转让 法律咨询 管理咨询 学术交流 企业信息化服务 会员活动
当前位置电子学会首页 >> 会员天地 >>正文

大功率半导体器件基地湖南投产


作者:深圳市电子学会 来源:深圳市电子学会 2009-09-14 00:00:00
摘要:

大功率半导体器件基地湖南投产


    本报讯 中国最大的大功率半导体器件研发及产业化基地近日在湖南株洲正式投产。这将改变国内高端半导体器件技术和市场一直被国外企业垄断的局面,加速国产化大功率半导体器件产业化进程。

    近年,随着国民经济快速发展,国内对高端半导体器件需求日益旺盛。为打破国外公司的市场垄断,实现自主创新,中国南车株洲下属的株洲南车时代电气股份有限公司依托公司良好的技术基础,总投资近3.5亿元,于2006年底启动大尺寸功率半导体器件研发及产业化基地的建设。

    位于株洲的生产基地总面积超过2万平方米,部分净化级别达到100级,配套设施采用世界一流的技术装备,并完全采用了与国际接轨的生产设备和工艺。南车时代电气表示,该基地是目前亚洲自动化、专业化和规模化程度最高的大功率半导体器件生产基地。

    据记者了解,该基地计划于2013年全面达产,达产后年产值达6亿元。目前已经拥有大功率双极器件的配套生产能力,具有重要战略意义的核心元件IGBT(绝缘栅极型功率管)封装项目也正在实施,预计年底可投产。

最新评论

我要评论

昵称:   

在线咨询