大功率半导体器件基地湖南投产

    近年，随着国民经济快速发展，国内对高端半导体器件需求日益旺盛。为打破国外公司的市场垄断，实现自主创新，中国南车株洲下属的株洲南车时代电气股份有限公司依托公司良好的技术基础，总投资近3.5亿元，于2006年底启动大尺寸功率半导体器件研发及产业化基地的建设。

    位于株洲的生产基地总面积超过2万平方米，部分净化级别达到100级，配套设施采用世界一流的技术装备，并完全采用了与国际接轨的生产设备和工艺。南车时代电气表示，该基地是目前亚洲自动化、专业化和规模化程度最高的大功率半导体器件生产基地。

    据记者了解，该基地计划于2013年全面达产，达产后年产值达6亿元。目前已经拥有大功率双极器件的配套生产能力，具有重要战略意义的核心元件IGBT(绝缘栅极型功率管)封装项目也正在实施，预计年底可投产。